（首尔5日讯）中国记忆体晶片大厂——长鑫存储（CXMT）7月27日于上海证券交易所科创板挂牌上市，股价在IPO首日飙涨逾500%，使其一度成为中国市值最高的上市公司。
值得关注的是，据韩国检方调查指出，长鑫存储当年是在吸收多名三星电子（Samsung Electronics）退休工程师后，正式启动动态随机存取记忆体（DRAM）研发计划，并在过程中透过合作厂商，取得部份SK海力士（SK Hynix）制程相关资讯。
在同时掌握韩国两大记忆体厂的技术经验后，长鑫存储最终于2023年实现10奈米级DRAM量产，成为中国首家、全球第4家跨入该门槛的企业。
5倍薪水挖角工程师
但让市场关注的是，长鑫存储其实成立不过10年，前身是2016年在中国安徽合肥成立的“睿力集成电路有限公司”，而其技术发展相当迅速，2019年就成功量产DDR4晶片，实现中国DRAM产业从0到1的历史突破。
不过就在这时，长鑫存储被爆出，包括1名高级开发工程师在内的3名三星电子前员工，因向长鑫存储泄露三星电子的尖端DRAM技术，而遭韩国检方起诉。
3人均被承诺获得比在三星电子任职时高出5倍的薪水，年薪高达30亿韩元（约860万令吉）。
这不只是个案，中国记忆体产业成长，处处可见韩国工程师影子。
首尔中央地方检察厅2025年12月以违反《不当竞争防止暨营业秘密保护法》与《产业技术保护法》为由，起诉10名前三星电子员工，指控其外泄DRAM关键技术。
涉案人士涵盖多名开发负责人与核心工程师，其中甚至包括三星电子前高层、现任长鑫存储研发主管，震撼韩国半导体圈。
技术外流损失逾百亿
长鑫存储在2025年11月发布DDR5与LPDDR5X新产品后，韩媒《Business Korea》直言，中国和韩国在通用DRAM的技术差距已缩小至不到一年，对韩系大厂在中国市场的营收构成实质威胁。
韩国检方估算，仅2024年，三星电子因技术外泄造成的市占流失与价格压力，销售额便减少约5兆韩元（约137亿8700万令吉），若纳入对整体产业与经济信心的冲击，总损失恐高达数十兆韩元。
记忆体技术仍领先
惟报导指出，虽然长鑫存储已成为全球第4大DRAM厂商，但在先进记忆体技术方面，仍落后于产业龙头，尤其是在高频宽记忆体（HBM）领域。HBM是打造英伟达（Nvidia）等人工智能（AI）加速器不可或缺的重要元件。
目前HBM市场仍由三星电子及SK海力士主导，两家公司凭借数十年的制造经验、制程技术以及全球客户认证，占据领先地位，美光也HBM的重要供应商。
但除了记忆体产业本身景气循环剧烈、供需波动大的特性之外，长鑫存储也面临美国出口管制带来的风险，以及相关的地缘政治风险。
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